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1 Laufzeit durch die Sperrschicht
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Laufzeit durch die Sperrschicht
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2 abdichten
abdichten v 1. WSB caulk; 2. HLK caulk, proof; fuller; 3. seal, proof, waterproof (Oberflächen); 4. SAN, WVA caulk; 5. HLK, WVA clench (durch Stauchpressung); 6. ERDB coffer; pack; mud-off; block off; 7. stuff, grout (mit Mörtel); 8. puddle (mit Lehmmörtel); 9. UMW seal, line (Deponie); 10. BWG, BOD, TE slug (Erkundungsbohrlöcher); 11. torch (Ziegeldachverfugung); 12. stave (mittels Daube oder Stab); 13. DIS, TE tighten (durch Zusammenziehen bzw. Zugspannung); 14. insulate (durch Sperrschicht)Deutsch-Englisch Fachwörterbuch Architektur und Bauwesen > abdichten
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3 Abdichten
Abdichten n 1. WSB caulking; 2. HLK caulking, proofing; 3. grouting (mit Mörtel); 4. sealing, proofing; weatherproofing; lining (Oberflächen); 5. insulating; weatherstripping (Sperrschicht); 6. puddling (mit Lehmmörtel); 7. DIS tightening (durch Spannung)Deutsch-Englisch Fachwörterbuch Architektur und Bauwesen > Abdichten
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4 depletion-layer transit time
English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics > depletion-layer transit time
См. также в других словарях:
Sperrschicht-Feldeffekttransistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Sperrschicht-FET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Sperrschichttemperatur — Sperrschicht|temperatur, Halbleiterelektronik: die Temperatur in oder an Sperrschichten von Halbleiterbauelementen, d. h. deren thermisch am stärksten belasteten Zonen. Sie ist gleich der Summe der Umgebungstemperatur und des Produkts aus… … Universal-Lexikon
Sperrschichtisolation — Sperrschicht|isolation, Halbleitertechnik: in der integrierten Schaltungstechnik die elektrische Isolation einzelner Bauelemente voneinander durch in Rückwärtsrichtung vorgespannte p n Übergänge; die einzelnen Bauelemente befinden sich dabei… … Universal-Lexikon
MISFET — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Transistoren — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Transistortechnik — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Transistor — Eine Auswahl an diskreten Transistoren in verschiedenen Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen, ohne dabei mechanische Bewegungen auszuführen. Transistoren sind die… … Deutsch Wikipedia
Durchflussrichtung — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… … Deutsch Wikipedia
N-p-Übergang — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… … Deutsch Wikipedia
P-n-Verbindung — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… … Deutsch Wikipedia
